За нынешнюю осень «Росэлектроника» и структуры МИЭТа подписали два стратегических соглашения — партнёры намерены создать на площадках Зеленоградского наноцентра и завода «Протон» МИЭТ производство радиационно-стойких микросхем (топологического уровня 0,35-0,25 и 0,25-0,18 микрон), КМОП (EEPROM, Flash-памяти с топологией 180-45нм) и МЭМС (0,35 микрон), производство и дизайн-центр 3D-сборки микросхем по методу TSV. Также на базе МИЭТа будут развивать материаловедческие и технологические направления: эпитаксиальное выращивание гетероструктур, карбид кремниевые и нитрид галлиевые технологии, технологии «прямого» экспонирования и разработку фотошаблонов уровня до 130 нм в Центре фотошаблонов МИЭТ. В перспективе предусмотрено создание аналитического центра микроэлектроники в Зеленограде.

https://www.zelenograd.ru/news/view.php3?id=10222